琯P N2OSiH4流量比對應SiOx薄膜折射率&沉積速率關系

/N2O/SiH4 流量比 vs SiOx 折射率 vs 沉積速率/

注：數據僅供蓡考

典型成膜條件：

- PECVD， 40KHz 琯式設備

- 溫度：460，壓力：170~240 Pa，功率：2~20 KW

- 流量SiH4/N2O:

- 1666/833 sccm2/1

- 1250/1250 sccm 1/1

- 625/1875 sccm 1/3

- 460/2000 sccm 1/4.3

- 227/2272 sccm 1/10

- 178/2314 sccm 1/13

- 156/2344 sccm 1/15

- 80/2420 sccm 1/30