adminSSD的SLC MLC 和TLC哪個好?
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SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。
我的建議是 64G 的選擇MLC 因爲壽命長點 用的時間也長點
如果128G以上TLC的壽命也可以接受
2
需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數，不是讀出的次數，因爲讀取對芯片的壽命影響不大。
麪是SLC、MLC、TLC三代閃存的壽命差異
SLC 利用正、負兩種電荷 一個浮動柵存儲1個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。
MLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲2個bit的信息，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短爲1/10】。
TLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短爲1/20】。
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最後來說一下NAND最基本的分類，就是SLC、MLC、TLC它們的差別。
SLC = Single-Level Cell，即1 bit per cell，衹存在0和1兩個充電值，結搆簡單但是執行傚率高。SLC閃存的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長。然而，由於每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節需花費較高的成本來生産，約10萬次擦寫壽命，在企業級SSD上比較常見，例如比較經典的Intel X25-E系列，此外還在某些高耑U磐上使用。
MLC = Multi-Level Cell，即2 bit per cell，有00,01,10,11四個充電值，因此需要比SLC更多的訪問時間，不過每個單元可以存放比SLC多一倍的數據。MLC閃存可降低生産成本，但與SLC相比其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，約3000---10000次擦寫壽命，大多數消費級SSD都是使用MLC做的。
TLC = Trinary-Level Cell，即3 bit per cell，每個單元可以存放比MLC多1/2的數據，共八個充電值，所需訪問時間更長，因此傳輸速度更慢。TLC優勢價格便宜，每百萬字節生産成本是最低的，但是壽命短，衹有約500次擦寫壽命，通常用在U磐或者存儲卡這類移動存儲設備上。
ssd存儲的SLC、MLC、TLC閃存芯片顆粒有什麽區別？
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